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TM2314 データシート PDF

この部品の機能は「Digital Audio Processing Circuit Control」です。


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部品番号
TM2314

Digital audio processing circuit control


SHENZHEN TITAN M ICRO ELECTRONI CS CO., LTD. — — — — — — — — — — — — — — VDD AGND TREB_L TREB_R RIN ROUT LOUD_R RIN4 RIN3 RIN2 RIN1 LOUD_L LIN4 LIN3 1 2 3 4 5 TM2314 6 7 8 9 10 11 12


Titan Micro
Titan Micro

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文字列「 TM2314 」「 2314 」で始まる検索結果です。

部品説明

TM2314FN

N-Channel High Density Trench MOSFET

TECH MOS Technology. N-Channel High Density Trench MOSFET TM2314FN PRODUCT SUMMARY VDSS ID 5.4 20V 4.3 46 @ VGS = 2.5V RDS(on) (m-ohm) Max 30 @ VGS = 4.5V FEATURES ●Super high dense cell trench design for low RDS(on). ●Rugged and reliable. ●Surface Mount package. D SOT

TECH MOS
TECH MOS

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2SC2314

27MHz CB Transceiver Driver Applications

Ordering number:EN485F NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC2314 27MHz CB Transceiver Driver Applications Package Dimensions unit:mm 2009B [2SC2314] JEDEC : TO-126 Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Em

Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

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2SC2314

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS Product specification 2SC2314 DESCRIPTION 27 MHz CB Transceiver Driver Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta = 25 OC) Parameter l Value Unit Collector-Base Voltage VCBO 75 V Collector-Emitter Voltage

TGS
TGS

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2SC2314

Silicon NPN Power Transistor

isc Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2SC2314 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Voltage- :VCER= 75V(Min) ;RBE=150Ω ·Collector Current- :IC=1.0A ·Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.6V(MAX)@ IC=0.5A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

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2SK2314

Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

2SK2314 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−π−MOSV) 2SK2314 Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm z 4-V gate drive z Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 66 mΩ (typ.) z High forward transfer admi

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

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AG231444

AG2xxx44 Relay

All Rights Reseved ⓒ Copyright Matsushita Electric Works,Ltd. All Rights Reseved ⓒ Copyright Matsushita Electric Works,Ltd. Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω Ω �

ETC
ETC

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