Datasheet STRH100N10 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	STRH100N10	TO-254AA rad-hard low gate charge STripFET Power MOSFET STRH100N10 N-channel 100 V, 0.030 Ω , TO-254AA rad-hard low gate charge STripFET™ Power MOSFET Features VBDSS 100 V ■ ■ ■ ■ ■ ■ ID 48 A RDS(on) 30 mOhm Qg 135 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TID Single event effect (SEE) harde	ST Microelectronics

STRH100 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
STRH100N6	Power MOSFET ( Transistor ) STRH100N6 Rad-Hard N-channel, 60 V, 80 A Power MOSFET Features VDSS 60 V ■ ■ ■ ■ ■ ID 80 A RDS(on) 12 mΩ Qg 134.4 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TID SEE radiation hardened 1 TO-254AA 3 2 Applications ■ ■ Figure 1. Internal	STMicroelectronics
STRH100N10	TO-254AA rad-hard low gate charge STripFET Power MOSFET STRH100N10 N-channel 100 V, 0.030 Ω , TO-254AA rad-hard low gate charge STripFET™ Power MOSFET Features VBDSS 100 V ■ ■ ■ ■ ■ ■ ID 48 A RDS(on) 30 mOhm Qg 135 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TID Single even	ST Microelectronics

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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