Datasheet STGB4M65DF2 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	STGB4M65DF2	IGBT STGB4M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss Datasheet - production data TAB 2 3 1 D²PAK Figure 1: Internal schematic diagram Features  6 µs of short-circuit withstand time  VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A  Tight parameter distribution  Safer paralleling	STMicroelectronics

STGB4M65 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
STGB4M65DF2	IGBT STGB4M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss Datasheet - production data TAB 2 3 1 D²PAK Figure 1: Internal schematic diagram Features  6 µs of short-circuit withstand time  VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A  Tight parameter distribution	STMicroelectronics

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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