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HCTL-2016 データシート PDF

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HCTS164MS8-Bit Serial-In/Parallel-Out Shift Register

TM HCTS164MS August 1995 Radiation Hardened 8-Bit Serial-In/Parallel-Out Shift Register Features • 3 Micron Radiation Hardened CMOS SOS • Total Dose 200K RAD (Si) • Dose Rate Survivability >1012 RAD (Si)/s (20ns Pulse) • Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s (20ns Pulse) • Single Event Ray U
Intersil
Intersil
datasheet HCTS164MS pdf
HCTS20MSRadiation Hardened Dual 4-Input NAND GateIntersil
Intersil
datasheet HCTS20MS pdf
HCT802TXVDual Enhancement Mode MOSFET

Dual Enhancement Mode MOSFET HCT802, HCT802TX, HCT802TXV Features:  6 pad surface mount package  VDS = 90V  RDS(on) < 5Ω  ID(on) N-Channel = 1.5A | P-Channel = 1.1A  Two devices selected for VDS ID(on) and RDS(on) similarity  Full TX Processing Available 
TT
TT
datasheet HCT802TXV pdf
HCT7000MN-Channel Enhancement Mode MOS TransistorTT
TT
datasheet HCT7000M pdf
HCT70000MTXN-Channel Enhancement Mode MOS Transistor

N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor HCT7000M, HCT70000MTX, HCT7000MTXV Features:  200 mA ID  Ultra small surface mount package  RDS(ON) < 5Ω  Pin-out compatible with most SOT23 MOSFETS Description: The HCT7000M is a high performance enhancement mode N‐channe
TT
TT
datasheet HCT70000MTX pdf

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