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D2118 データシート PDF

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部品番号
D2118

NPN Transistor - 2SD2118


Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 2SD2118 zFeatures 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC/IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1412. zDimen


ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

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D2118

NPN Plastic Encapsulated Transistor


Elektronische Bauelemente 2SD2118 5A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V(Typ.


SeCoS
SeCoS

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文字列「 D2118 」「 2118 」で始まる検索結果です。

部品説明

232266211813

Thermistors

Philips Components Product specification Thermistors for overload protection PTC 56 V and 265 V (Ts = 120 °C) FEATURES • Different voltages to be chosen in function of the application • Available in three mechanical versions – 2322 66. 0.... naked d

Philips Components
Philips Components

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2SA2118

Power Transistors Silicon PNP epitaxial planar type

Power Transistors 2SA2118 Silicon PNP epitaxial planar type For power amplification For TV vertical deflection output ■ Features • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Dielectric breakdown voltage of the package: 5 kV • Full

Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

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2SC2118

Silicon NPN Epitaxial Planar Type

w w w .d e e h s a t a . u t4 m o c

Toshiba
Toshiba

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2SD2118

Silicon NPN Power Transistor

isc Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2SD2118 DESCRIPTION ·High current capacity ·Small and slim package making it easy to make 2SD2118-used set smaller ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lo

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

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2SD2118

Low VCE(sat) Transistor (Strobe flash)

Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 2SD2118 zFeatures 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC/IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1412. zDimensions (Unit : mm) 2SD2118 zStructure Epitaxial planar type NPN silicon transist

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

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2SD2118

NPN Plastic Encapsulated Transistor

Elektronische Bauelemente 2SD2118 5A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V(Typ.) (IC/IB = 4A / 0.1A) Excellent DC Current Gain Characteristics D-Pack (TO-252)

SeCoS
SeCoS

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