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BT30N60ANFSilicon FS Planar IGBT

Silicon FS Planar IGBT BT30N60ANF ○R General Description: Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCES IC Ptot (TC=25℃) VCE(SAT) 6
Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
datasheet BT30N60ANF pdf
BT300ThyristorsNXP Semiconductors
NXP Semiconductors
datasheet BT300 pdf
BT300-500RThyristors

Philips Semiconductors Thyristors Product specification BT300 series GENERAL DESCRIPTION Glass passivated thyristors in a plastic envelope, intended for use in applications requiring high bidirectional blocking voltage capability and high thermal cycling performance. Typical applications
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
datasheet BT300-500R pdf
BT300-600RThyristorsNXP Semiconductors
NXP Semiconductors
datasheet BT300-600R pdf
BT300-800RThyristors

Philips Semiconductors Product specification Thyristors BT300 series GENERAL DESCRIPTION Glass passivated thyristors in a plastic envelope, intended for use in applications requiring high bidirectional blocking voltage capability and high thermal cycling performance. Typical applications include
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
datasheet BT300-800R pdf

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