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K2737 の電気的特性と機能

K2737のメーカーはHitachi Semiconductorです、この部品の機能は「MOSFET ( Transistor ) - 2SK2737」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号
K2737
部品説明
MOSFET ( Transistor ) - 2SK2737
メーカ
Hitachi Semiconductor
ロゴ

Hitachi Semiconductor ロゴ 




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K2737 Datasheet, K2737 PDF,ピン配置, 機能
2SK2737
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Low on-resistance
RDS(on) = 10 mtyp.
4V gate drive devices.
High speed switching
Outline
TO–220CFM
ADE-208-533B(Z)
3rd. Edition
Jun 1998
D
G
123
1. Gate
2. Drain
3. Source
S

1 Page





K2737 pdf, ピン配列
Main Characteristics
2SK2737
Power vs. Temperature Derating
40
30
20
10
0 50 100 150
Case Temperature Tc (°C)
200
Maximum Safe Operation Area
500
200
100
100
10
µs
µs
50
20
10
5
2
DC Operation
Operation in
(Tc
this area is
limited by R DS(on)
=
25°C)
1
0.5 Ta = 25 °C
0.1 0.3 1 3 10
Drain to Source Voltage V
30
DS(V)
100
Typical Output Characteristics
10 V
100
80
8V
6V
5V
Pulse Test
4.5 V
60 4 V
40 3.5 V
20 3 V
VGS = 2.5 V
0 2 468
Drain to Source Voltage V DS(V)
10
Typical Transfer Characteristics
100
80 Tc = –25°C
60
25°C
75°C
40
20
VDS = 10 V
Pulse Test
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage V G(SV)
3


3Pages


K2737 電子部品, 半導体
2SK2737
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
100
80 10 V
5V
60
40
VGS = 0, –5 V
20
Pulse Test
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1
D=1
Tc = 25°C
0.5
0.3
0.2
0.1 0.1
0.05
0.03
0.02
0.011shot
pulse
0.01
10 µ 100 µ
q ch – c(t) = g s (t) • q ch – c
q ch – c = 4.17 °C/W, Tc = 25 °C
PDM
PW
T
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
6

6 Page

合計 : 9 ページ
PDF ダウンロード

[ K2737 データシート.PDF ]

データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。

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部品番号部品説明メーカ
K2733

MOSFET ( Transistor ) - 2SK2733

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
K2737

MOSFET ( Transistor ) - 2SK2737

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

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