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W9NB80 データシート PDF ( Data ) |
| 番号 | 部品番号 | 部品説明 | メーカ | |
| 1 | W9NB80 | STW9NB80 ® STW9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.3A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET TYPE STW 9NB80 s s s s s s V DSS 800 V R DS(on) <1Ω ID 9.3 A TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY |
 STMicroelectronics |
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W9NB データシート - 検索結果 |
| 部品番号 | 部品説明 | メーカ | |
| W9NB80 | STW9NB80 ® STW9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.3A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET TYPE STW 9NB80 s s s s s s V DSS 800 V R DS(on) <1Ω ID 9.3 A TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC C |
STMicroelectronics |
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| W9NB90 | STW9NB90 ® STW9NB90 N-CHANNEL 900V - 0.85Ω - 9.7A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET TYPE V DSS RDS(on) ID S TW 9NB9 0 900 V <1Ω 9.7 A s TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s VERY LOW INTRINSIC |
STMicroelectronics |
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| W9NB90 | STW9NB90 ® STW9NB90 N-CHANNEL 900V - 0.85Ω - 9.7A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET TYPE V DSS RDS(on) ID S TW 9NB9 0 900 V <1Ω 9.7 A s TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s VERY LOW INTRINSIC |
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