Datasheet VTI630F Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	VTI630F	N-CHANNEL MOSFET VTI630F Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220F 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. 特征 / Features RDS(on)的典型值是 0.3Ω,低电容，开关速度快。 Typical RDS(on)=0.3Ω,low intrinsic capacitance Ciss, fast switc	BLUE ROCKET ELECTRONICS

VTI6 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
VTI630	N-CHANNEL MOSFET VTI630 Rev.D Mar.-2016 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. 特征 / Features RDS(on)的典型值是 0.3Ω,低电容，开关速度快。 Typical RDS(on)=0.3Ω,low intrinsic capacitance	BLUE ROCKET ELECTRONICS
VTI640F	N-CHANNEL MOSFET VTI640F Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220F 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. 特征 / Features RDS(on)的典型值是 0.15Ω,低电容，开关速度快。 Typical RDS(on)=0.15Ω,low intrinsic capaci	BLUE ROCKET ELECTRONICS
VTI640	N-CHANNEL MOSFET VTI640 Rev.D Mar.-2016 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. 特征 / Features RDS(on)的典型值是 0.15Ω,低电容，开关速度快。 Typical RDS(on)=0.15Ω,low intrinsic capacitan	BLUE ROCKET ELECTRONICS

Esta página es del resultado de búsqueda del VTI630F. Si pulsa el resultado de búsqueda de VTI630F se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin.

Enlace url :

[1]

nuevas actualizaciones

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap