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VFT3080S データシート PDF

この部品の機能は「Trench Mos Barrier Schottky Rectifier」です。


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部品番号
VFT3080S

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier


www.Datasheet.jp New Product VFT3080S Vishay General Semiconductor Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A TMBS ® ITO-220AB FEATURES • Trench MOS Schottky tec


Vishay
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文字列「 VFT3080 」「 3080S 」で始まる検索結果です。

部品説明

VFT3080C

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

www.datasheet.jp New Product VFT3080C Vishay General Semiconductor Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A TMBS ® ITO-220AB FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency

Vishay
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VFT3080C-E3

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VT3080C-E3, VFT3080C-E3, VBT3080C-E3, VIT3080C-E3 www.vishay.com Vishay General Semiconductor Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A TO-220AB TMBS ® ITO-220AB VT3080C 3 2 1 PIN 1 PIN 2 PIN 3 CASE TO-263AB K 123 VFT3080C PIN

Vishay
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VFT3080S-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VT3080S-E3, VFT3080S-E3, VBT3080S-E3, VIT3080S-E3 www.vishay.com Vishay General Semiconductor Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A TO-220AB TMBS ® ITO-220AB VT3080S 3 2 1 PIN 1 PIN 2 PIN 3 CASE TO-263AB K 123 VFT3080S PIN 1 PI

Vishay
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2SK3080

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3080 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-635A (Z) 2nd. Edition May 1998 Features • Low on-resistance R DS(on) = 20 mΩ typ. (V GS = 10V, ID = 15 A) • 4V gate drive devices. • High speed switching Outline TO–220AB D G 1 2 S 3 1. Gate 2. D

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

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5082-3080

SILICON PIN DIODE

5082-3080 SILICON PIN DIODE PACKAGE STYLE 15 DESCRIPTION: The ASI 5082-3080 PIN Diode is Designed for Low Power RF Switching and Attenuating Applications. MAXIMUM RATINGS I V PDISS TJ TSTG TSOLD 250 mA 100 V 250 mW @ TC = 25 °C -65 °C to +150 °C -65 °C to +150 °C 260 °C

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor

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5082-3080

(5082-3xxx) PIN Diodes for RF Switching and Attenuating

PIN Diodes for RF Switching and Attenuating Technical Data 1N5719, 1N5767, 5082-3001, 5082-3039, 5082-3077, 5082-3080/81, 5082-3188, 5082-3379 Features • Low Harmonic Distortion • Large Dynamic Range • Low Series Resistance • Low Capacitance Descrip

Hewlett-Packard
Hewlett-Packard

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