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部品名「 V290BJ1-LE1 」データシート(PDF)を検索した結果です。 結果として示された要約情報を活用して、さまざまな製造元のデータシートを比較してダウンロードできます。 当社の検索ツールは、検索結果の範囲をすばやく絞り込み、必要なものを正確に見つけることができるフィルタと並べ替えオプションを備えた直感的で使いやすく設計されています。 |
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番号 | 部品番号 | 部品説明 | メーカ | |
1 | V290BJ1-LE1 | TFT LCD Module Global LCD Panel Exchange Center www.panelook.com PRODUCT SPECIFICATION ϭ Tentative Specification ϭ Preliminary Specification Ϯ Approval Specification MODEL NO.: V290BJ1 SUFFIX: LE1 Customer: AP |
![]() CHIMEI Innolux |
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文字列「 V290BJ1LE1 」「 290BJ1 」で始まる検索結果です。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ | |
2SC2901 | NPN SILICON TRANSISTOR |
![]() NEC |
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2SC2901 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor ST 2SC2901 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for general purpose amplifier and high speed switching applications. The transistor is subdivided into two groups L and K, according to its DC current gain. On special request, these transistors can be manufactured in different p |
![]() SEMTECH |
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2SC2901 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC2901 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for general purpose amplifier and high speed switching applications. The transistor is subdivided into two groups L and K, according to its DC current gain. On special request, these transistors can be manufactured in different pin |
![]() Bluecolour |
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2SC2901 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor ST 2SC2901 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for general purpose amplifier and high speed switching applications. The transistor is subdivided into two groups L and K, according to its DC current gain. On special request, these transistors can be manufactured in differen |
![]() PACO |
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2SK2901-01L | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 2SK2901-01L,S N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof T-Pack(L) FUJI POWER MOS-FET T-Pack(S) 10 +0.5 0.9 ±0.3 4.5 ±0.2 1.32 1.5 Max 9.3 ±0.5 1.2 ±0.2 0.8 —0.1 5.08 2.7 + |
![]() Fuji Electric |
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2SK2901-01S | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 2SK2901-01L,S N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof T-Pack(L) FUJI POWER MOS-FET T-Pack(S) 10 +0.5 0.9 ±0.3 4.5 ±0.2 1.32 1.5 Max 9.3 ±0.5 1.2 ±0.2 0.8 —0.1 5.08 2.7 + |
![]() Fuji Electric |
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