データシート PDF 検索 - DataSheet.jp

U10FL2C48A データシート PDF

この部品の機能は「Diode Stack (switching Type Power Supply ApplICation. Converter & Chopper ApplICation.)」です。


検索結果を表示する

部品番号
U10FL2C48A

DIODE STACK (SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATION. CONVERTER & CHOPPER APPLICATION.)



Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

データシート pdf



文字列「 U10FL2C48 」「 10FL2C48A 」で始まる検索結果です。

部品説明

10FL2C48A

DIODE STACK (SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATION. CONVERTER & CHOPPER APPLICATION.)

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

 データシート pdf


IS61WV10248ALL

1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

IS61WV10248ALL IS61WV10248BLL IS64WV10248BLL 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM JUNE 2008 FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansio

ISSI
ISSI

 データシート pdf


IS61WV10248BLL

1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

IS61WV10248ALL IS61WV10248BLL IS64WV10248BLL 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM JUNE 2008 FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansio

ISSI
ISSI

 データシート pdf


IS61WV10248EDBLL

1M x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

IS61WV10248EDBLL IS64WV10248EDBLL 1M x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC FEBRUARY 2013 FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity �

ISSI
ISSI

 データシート pdf


IS62WV10248BLL

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

IS62WV10248BLL ISSI MARCH 2006 ® 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 55ns, 70ns • CMOS low power operation: 36 mW (typical) operating 12 µW (typical) CMOS standby • TTL compatible interface levels

Integrated Silicon Solution
Integrated Silicon Solution

 データシート pdf


IS62WV10248DALL

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

IS62WV10248DALL/BLL IS65WV10248DALL/BLL 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM MA Y 2009 FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns • CMOS low power operation – 30 mW (typical) operating – 12 µW (typical) CMOS standby • TTL compatible inter

ISSI
ISSI

 データシート pdf

ページ   :   [1]     

scroll

当社のサイトでは、半導体やセンサーからモーター、電源に至るまで、さまざまな製品のデータシートを簡単に検索してダウンロードできる集中型プラットフォームを提供しています。


www.DataSheet.jp      |    2020      |

    メール     |     最新    |     Sitemap