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データシート TMD1414-2C PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 TMD1414-2C

MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER

www.Datasheet.jp MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA TMD1414-2C FEATURES n HIGH POWER P1dB=34.5dBm at 13.75GHz to 14.5GHz n HIGH GAIN G1dB=26.0dB at 13.75GHz to

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
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TMD データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
TMD4N60AZ

N-channel MOSFET

Features  Low gate charge  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK TMD4N60AZ(G)/TMU4N60AZ(G) BVDSS 600V N-channel MOSFET ID RDS(on) 4.0A < 2.5W I-PAK D

TRinno
TRinno
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TMD916

Diode (spec sheet)

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
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TMDS442

4-TO-2 DVI/HDMI Switch (Rev. A)

Texas Instruments
Texas Instruments
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TMD5872-2-321

Microwave Power MMIC Amplifier

MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA FEATURES n n n Suitable for VSAT, UNII radio applications High Power P1dB=31.7dBm(MIN.) High Power Added Efficiency ηadd=21%(TYP.) n n TMD5872-2-321 High Gain G1dB=26.7dB(MIN.) Broadband Operation f=5.8-6.4

Toshiba
Toshiba
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TMDS361

3Gbps 3-to-1 HDMI/DVI Switch (Rev. A)

Texas Instruments
Texas Instruments
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TMD74HC373

(TMDx4HC37x) 3 State Octal D-Flip-Flops

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Telmos
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TMD1414-2C 回路図、ピン配列、同等



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