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データシート TMD1414-2C PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 TMD1414-2C

MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER

www.Datasheet.jp MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA TMD1414-2C FEATURES n HIGH POWER P1dB=34.5dBm at 13.75GHz to 14.5GHz n HIGH GAIN G1dB=26.0dB at 13.75GHz to

Toshiba Semiconductor
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TMD データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
TMD4N65AZ

N-channel MOSFET

Features  Low gate charge  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK TMD4N65AZ(G)/TMU4N65AZ(G) BVDSS 650V N-channel MOSFET ID RDS(on) 4.0A < 2.4W I-PAK D

TRinno
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TMD16N25Z

N-channel MOSFET

Features  Low gate charge  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK TMD16N25Z(G)/TMU16N25Z(G) BVDSS 250V N-channel MOSFET ID RDS(on) 16A <0.24W I-PAK Device TMD16N25Z / TMU16N25Z TMD16

TRinno
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TMDS171

TMDS171/I 3.4 Gbps TMDS RETIMER (Rev. B)

Texas Instruments
Texas Instruments
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TMD5N60AZ

N-channel MOSFET

Features  Low gate charge  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK TMD5N60AZ(G)/TMU5N60AZ(G) BVDSS 600V N-channel MOSFET ID RDS(on) 4.2A < 2.1W I-PAK D

TRinno
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TMD2N60AZG

N-channel MOSFET

Features  Low gate charge  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK TMD2N60AZ(G)/TMU2N60AZ(G) BVDSS 600V N-channel MOSFET ID RDS(on) 2.0A < 4.0W I-PAK D

TRinno
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TMD4N60AZ

N-channel MOSFET

Features  Low gate charge  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK TMD4N60AZ(G)/TMU4N60AZ(G) BVDSS 600V N-channel MOSFET ID RDS(on) 4.0A < 2.5W I-PAK D

TRinno
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Search Keywords :

TMD1414-2C 回路図、ピン配列、同等



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