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TK30A06J3A データシート PDF 検索

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Field Effect Transistor

TK30A06J3A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSⅢ) TK30A06J3A Switching Regulator Applications z z z z Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) High f

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TK30A06 データシート - 検索結果

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TK30A06J3A

Field Effect Transistor

TK30A06J3A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSⅢ) TK30A06J3A Switching Regulator Applications z z z z Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 34 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10

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TK30A06N1

MOSFETs

TK30A06N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) TK30A06N1 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) (2) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 12.2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 60 V) Enhancement mode

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