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SVF13N50F データシート PDF 検索

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1 SVF13N50F

500V N-channel enhancement mode MOSFET

东森微电子 13A、500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF13N50T/F/PN 说明书 2 SVF13N50T/F/PN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS

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SVF13N データシート - 検索結果

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SVF13N60AF

MOSFET

SVF13N60AF_Datasheet 13A 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF13N60AF is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard r

Silan Microelectronics
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SVF13N50PN

500V N-channel enhancement mode MOSFET

东森微电子 13A、500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF13N50T/F/PN 说明书 2 SVF13N50T/F/PN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产

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SVF13N50T

500V N-channel enhancement mode MOSFET

东森微电子 13A、500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF13N50T/F/PN 说明书 2 SVF13N50T/F/PN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产

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SVF13N50F

500V N-channel enhancement mode MOSFET

东森微电子 13A、500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF13N50T/F/PN 说明书 2 SVF13N50T/F/PN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产

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