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データシート STD630S PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 STD630S

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Green Product STU/D630S Ver 1.0 SamHop Microelectronics Corp. N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor PRODUCT SUMMARY VDSS 60V ID 46A RDS(ON) (mΩ) Max 10 18 @VGS=10V @VGS=

SamHop Microelectronics
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STD データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
STD86N3LH5

Power MOSFETs

STD86N3LH5 N-channel 30 V, 0.0045 Ω , 80 A, DPAK STripFET™ V Power MOSFET Features Type STD86N3LH5 ■ ■ ■ ■ VDSS 30 V RDS(on) max < 0.005 Ω ID 80 A 3 1 RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche rugged

ST Microelectronics
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STD2NA50

N-CHANNEL MOSFET

STD2NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE STD2NA50 V DSS 500 V R DS(on) <4Ω ID 2.2 A s s s s s s s s s TYPICAL RDS(on) = 3.25 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW INTRINSI

ST Microelectronics
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STD5406N

Power MOSFET

NTD5406N, STD5406N Power MOSFET 40 V, 70 A, Single N−Channel, DPAK Features • Low RDS(on) • High Current Capability • Low Gate Charge • STD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPA

ON Semiconductor
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STD09N25

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Green Product STU09N25 STD09N25 Ver 1.0 S a mHop Microelectronics C orp. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRODUCT SUMMARY V DSS 250V ID 7.5A R DS(ON) ( Ω) Max 0.4 @ VGS=10V FEATURES Super high dense cell design for low R DS(ON). Rugged and reliable. TO-25

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STD45NF03L

N-CHANNEL POWER MOSFET

® STD45NF03L N - CHANNEL 30V - 0.011 Ω - 45A DPAK STripFET™ POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE STD45NF03L s s V DSS 30 V R DS(o n) < 0.013 Ω ID 45 A s TYPICAL RDS(on) = 0.011 Ω LOW THRESHOLD DRIVE ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE & REEL

STMicroelectronics
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STD19NE06

N-CHANNEL POWER MOSFET

N-CHANNEL 60V - 0.042 Ω - 19A IPAK/DPAK STripFET™ POWER MOSFET TYPE STD19NE06 s s s s s STD19NE06 VDSS 60 V RDS(on) <0.050 Ω ID 19 A s TYPICAL RDS(on) = 0.042 Ω AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED 175 oC OPERATING TEMPERATURE THROUGH-HOLE IPAK (TO-251)

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STD630S 回路図、ピン配列、同等



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