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Datasheet SSP6N80A Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 SSP6N80A   Advanced Power MOSFET

Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µA (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.472 Ω (Typ.) 1 2 3 SSP6N80A BVDSS = 800 V RDS(on) = 2.0 Ω ID = 6 A
 Fairchild
Fairchild		 datasheet SSP6N80A pdf

SSP6N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SSP6N60

N-Channel Power MOSFET / Transistor

w w .D w t a S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
Samsung
Samsung		 datasheet pdf - Samsung
SSP6N80A

Advanced Power MOSFET

Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µA (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.472 Ω (Typ.) 1 2 3 SSP6N80A BVDSS = 800 V RDS(on
 Fairchild
Fairchild		 datasheet pdf - Fairchild
SSP6N55

N-Channel Power MOSFET / Transistor

w w .D w t a S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
Samsung
Samsung		 datasheet pdf - Samsung


Esta página es del resultado de búsqueda del SSP6N80A. Si pulsa el resultado de búsqueda de SSP6N80A se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin.


Enlace url :
[1] 

nuevas actualizaciones

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

 Sanken
Sanken		 PDF


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