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SSP4N60 データシート PDF ( Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
4 SSP4N60

(SSP4N55 / SSP4N60) N-Channel Power MOSFET

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Samsung Electronics
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3 SSP4N60AS

Advanced Power MOFET

Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µ A (Max.)

Fairchild Semiconductor
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2 SSP4N60AS

Advanced Power MOFET

Samsung Electronics
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1 SSP4N60B

600V N-Channel MOSFET

SSP4N60B/SSS4N60B SSP4N60B/SSS4N60B 600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMO

Fairchild Semiconductor
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SSP4N60 回路図、ピン配列、同等



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