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SSP4N60 データシート PDFこの部品の機能は「(ssp4n55 / Ssp4n60) N-channel Power Mosfet」です。部品名 SSP4N60.PDF で生成された要約情報を活用して、さまざまなメーカーのデータシートを比較してダウンロードできます。 当社の検索ツールは、検索結果の範囲をすばやく絞り込み、必要なものを正確に見つけることができるフィルタと並べ替えオプションを備えた直感的で使いやすく設計されています。 |
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| 部品番号 |
| SSP4N60 (SSP4N55 / SSP4N60) N-Channel Power MOSFET www.Datasheet.jp www.Datasheet.jp www.Datasheet.jp www.Datasheet.jp www.Datasheet.jp  Samsung Electronics  |
文字列「 SSP4N60 」「 4N60 」で始まる検索結果です。 |
| 部品説明 |
SSP4N60AS Advanced Power MOFET Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µ A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 Ω (Typ.) SSP4N60AS BVDSS = 600 V RDS(on)  Fairchild Semiconductor |
SSP4N60AS Advanced Power MOFET Samsung Electronics |
SSP4N60B 600V N-Channel MOSFET SSP4N60B/SSS4N60B SSP4N60B/SSS4N60B 600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize Fairchild Semiconductor |
04N60C3 SPB04N60C3 63%1& &RRO026 3RZHU7UDQVLVWRU )HDWXUH • 1HZUHYROXWLRQDUKLJKYROWDJHWHFKQRORJ •8OWUDORZJDWHFKDUJH • 3HULRGLFDYDODQFKHUDWHG •([WUHPHGYGWUDWHG • +LJKSHDNFXUUHQWFDSDELOLW • ,PSURYHGWUDQVFRQGXFWDQFH VDS#Tjmax 5'6 RQ ,' 3G72  Infineon |
1410460 Bobbin Type Inductors  C&D Technologies |
1410460 Bobbin Type Inductors C&D Technologies |
特徴
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私たちは、エンジニア、技術者が作業している電子部品に関する包括的な最新情報にアクセスすることがどれほど重要かを知っています。 当社のサイトでは、半導体やセンサーからモーター、電源に至るまで、さまざまな製品のデータシートを簡単に検索してダウンロードできる集中型プラットフォームを提供しています。 |
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