Datasheet SSH6N70A Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	SSH6N70A	Advanced Power MOSFET Advanced Power MOSFET w w w .D t a FEATURES h S a t e e 4U . m o c SSH6N70A BVDSS = 700 V RDS(on) = 1.8 Ω ID = 6 A TO-3P Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µA (Max	Fairchild Semiconductor

SSH6N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SSH6N80	(SSH6N70 / SSH6N80) N-Channel Power MOSFETs w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w .D w t a S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a t a e h S 4 t e U m o .c	Samsung Electronics
SSH6N80AS	Advanced Power MOSFET w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w w .D t a S a e h U 4 t e m o .c w w w .D at h S a t e e 4U . m o c	Samsung Electronics
SSH6N70	(SSH6N70 / SSH6N80) N-Channel Power MOSFETs w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w .D w t a S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a t a e h S 4 t e U m o .c	Samsung Electronics

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nuevas actualizaciones

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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