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SFR9230B データシート PDF 検索

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1 SFR9230B

200V P-Channel MOSFET

SFR9230B / SFU9230B SFR9230B / SFU9230B 200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar,

Fairchild Semiconductor
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SFR92 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
SFR9230B

200V P-Channel MOSFET

SFR9230B / SFU9230B SFR9230B / SFU9230B 200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minim

Fairchild Semiconductor
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SFR9224

Advanced Power MOSFET

Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) : 1.65 Ω (Typ.) 1 SFR/U9224 BVDSS = -250 V RDS(on

Fairchild Semiconductor
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SFR9214

Advanced Power MOSFET

Advanced Power MOSFET FEATURES ν Avalanche Rugged Technology ν Rugged Gate Oxide Technology ν Lower Input Capacitance ν Improved Gate Charge ν Extended Safe Operating Area ν Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = -250V ν Lower RDS(ON) : 3.15 Ω (Typ.) SFR/U9214 BV

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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SFR9210

Advanced Power MOSFET

Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) : 2.084 Ω (Typ.) 1 SFR/U9210 BVDSS = -200 V RDS(o

Fairchild Semiconductor
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