SBL20U100 データシート PDFこの部品の機能は「Low Vf Trench Mos Barrier Schottky Rectifier」です。 |
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部品番号 |
SBL20U100 Low VF Trench MOS Barrier Schottky Rectifier SBL20U100 Elektronische Bauelemente Voltage 100V 20.0 Amp Low VF Trench MOS Barrier Schottky Rectifier RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free TO-220 FEATURES Trench MOS S SeCoS |
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部品説明 |
SBL20U100F Low VF Trench MOS Barrier Schottky Rectifier SBL20U100F Elektronische Bauelemente Voltage 100V 20.0 Amp Low VF Trench MOS Barrier Schottky Rectifier RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free ITO-220 FEATURES Trench MOS Schottky technology Low forward voltage drop Low reverse current High current c SeCoS |
2CZ20100A4S N-type Silicon Schottky Rectifier Diode 硅 N 型肖特基整流二极管 2CZ20100 A4S ○R 产品概述 2CZ20100 A4S 是共 阴极双肖特基二极管,具 有平衡的正向压降特性和 高温漏电特性。典型应用 为开关电源整流输出、续 流二极管、电池反向保护。 产品特点 ●150 Huajing Microelectronics |
2CZ20100A8S N-type Silicon Schottky Rectifier Diode 产品概述 2CZ20100 A8S 是共 阴极双肖特基二极管,具 有平衡的正向压降特性和 高温漏电特性。典型应用 为开关电源整流输出、续 流二极管、电池反向保护。 硅 N 型快恢复整流二极管 2CZ20100 A8S ○R 产品特点 ●150 Huajing Microelectronics |
2CZ20100A9LC N-type silicon Schottky rectifier diode 产品概述 2CZ20100 A9LC是共 阴极双肖特基二极管,具 有平衡的正向压降特性和 高温漏电特性。典型应用 为开关电源整流输出、续 流二极管、电池反向保护。 硅 N 型肖特基整流二极管 2CZ20100 A9LC ○R 产品特点 ●15 Huajing Microelectronics |
2CZ20100A9S N-type Silicon Schottky Rectifier Diode 产品概述 2CZ20100 A8S 是共 阴极双肖特基二极管,具 有平衡的正向压降特性和 高温漏电特性。典型应用 为开关电源整流输出、续 流二极管、电池反向保护。 硅 N 型快恢复整流二极管 2CZ20100 A9S ○R 产品特点 ●150 Huajing Microelectronics |
5SNS0300U120100 IGBT Module VCE = IC = 1200 V 300 A IGBT Module LoPak5 SPT 5SNS 0300U120100 · Low-loss, rugged SPT chip-set · Smooth switching SPT chip-set for good EMC · Low profile compact baseless package for high power cycling capability · Snap-on PCB assembly · Integrated PTC substrate temperat ABB |
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