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S20C45 データシート PDFこの部品の機能は「Schottky Barrier Rectifiers」です。部品名 S20C45.PDF で生成された要約情報を活用して、さまざまなメーカーのデータシートを比較してダウンロードできます。 当社の検索ツールは、検索結果の範囲をすばやく絞り込み、必要なものを正確に見つけることができるフィルタと並べ替えオプションを備えた直感的で使いやすく設計されています。 |
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部品番号 |
S20C45 SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS MOSPEC Schottky Barrier Rectifiers Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and meta ![]() Mospec Semiconductor ![]() |
文字列「 S20C45 」「 20C45 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
S20C45CE (S20C30CE - S20C60CE) Schottky Barrier Rectifiers MOSPEC Schottky Barrier Rectifiers S20C30CE thru S20C60CE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 AMPERES 30-60 VOLTS Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide pas ![]() Mospec Semiconductor ![]() |
2SD2045 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Driver for Solenoid/ Motor and General Purpose) Darlington sAbsolute maximum ratings Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SD2045 120 120 6 6(Pulse10) 1 50(Tc=25°C) 150 –55 to +150 2SD2045 sElectrical Characteristics Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT COB Conditions VCB=120V VEB=6V IC=10mA VCE=2V, IC=3A I ![]() Sanken electric ![]() |
2SD2045 NPN - PNP Plastic-Encapsulate Transistors Elektronische Bauelemente 2SD2045 NPN - PNP Plastic-Encapsulate Transistors RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen and lead free FEATURE 40V complementary device Mounting cost and area can be cut in half High hFE MARKING 2045 PACKAGING DIMENSION Packag ![]() SeCoS ![]() |
2SD2045 Silicon NPN Darlington Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor isc Product Specification 2SD2045 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A ·High DC Current Gain : hFE= 2000 ![]() INCHANGE ![]() |
2SK2045 Ultrahigh-Speed Switching Applications Ordering number:ENN4287A N-Channel Silicon MOSFET 2SK2045 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · High-speed diode built in (trr=140ns). · Micaless package facilitating easy mounting. Package Dimensions unit:mm 20 ![]() Sanyo Semicon Device ![]() |
A3PS2045UH Schottky Barrier Diode ZOWIE Schottky Barrier Diode (45V / 20A) A3PS2045UH OUTLINE DIMENSIONS FEATURES Case : A3PS Unit : mm * Halogen-free type Top View Bottom View Pad Layout * Lead free product, compliance to RoHS * Lead less chip form, no lead damage * Low power loss, High efficiency 2 ![]() Zowie ![]() |
特徴
私たちは、エンジニア、技術者が作業している電子部品に関する包括的な最新情報にアクセスすることがどれほど重要かを知っています。 当社のサイトでは、半導体やセンサーからモーター、電源に至るまで、さまざまな製品のデータシートを簡単に検索してダウンロードできる集中型プラットフォームを提供しています。 |
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