S10C70 データシート PDFこの部品の機能は「Schottky Barrier Rectifiers(10a/70-100v)」です。 |
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部品番号 |
S10C70 SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(10A/70-100V) Mospec Semiconductor |
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部品説明 |
2SB1070 For Low-Voltage Switching Power Transistors 2SB1070, 2SB1070A Silicon PNP epitaxial planar type For low-voltage switching 8.5±0.2 Unit: mm 3.4±0.3 1.0±0.1 6.0±0.2 10.0±0.3 1.5±0.1 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • High-speed switching • N Panasonic Semiconductor |
2SB1070A For Low-Voltage Switching Power Transistors 2SB1070, 2SB1070A Silicon PNP epitaxial planar type For low-voltage switching 8.5±0.2 Unit: mm 3.4±0.3 1.0±0.1 6.0±0.2 10.0±0.3 1.5±0.1 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • High-speed switching • N Panasonic Semiconductor |
2SC1070 NPN SILICON TRANSISTOR www.DataSheet.in NEC |
2SC1070B NPN SILICON TRANSISTOR www.DataSheet.in NEC |
2SK1070 Silicon N-Channel Junction FET 2SK1070 Silicon N-Channel Junction FET Application Low frequency / High frequency amplifier Outline MPAK 3 1 2 1. Drain 2. Source 3. Gate 2SK1070 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Gate to drain voltage Gate to source voltage Drain current Gate current Channel power Hitachi Semiconductor |
2SK1070 Silicon N-Channel Junction FET 2SK1070 Silicon N-Channel Junction FET Preliminary Datasheet R07DS0282EJ0400 Rev.4.00 Jan 10, 2014 Application • Low frequency / High frequency amplifier Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 1 2 1. Drain 2. Source 3. Gate Absolute Maximum Rati Renesas |
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