RUN31A22 データシート PDFこの部品の機能は「Relay」です。 |
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部品番号 |
RUN31A22 Relay www.Datasheet.jp ETC |
文字列「 RUN31A22 」「 31A22 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
RUN31A22xx Relay
ETC |
2N3122 Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ VCB (µA) (V) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 4.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 7.0 7.0 5.0 4.0 7.0 7.0 7.0 7.0 5.0 4.0 4.0 5.0 4.0 4.0 4.0 5.0 5.0 5.0 Central |
2SC3122 Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3122 2SC3122 TV VHF RF Amplifier Applications Unit: mm · High gain: Gpe = 24dB (typ.) (f = 200 MHz) · Low noise: NF = 2.0dB (typ.) (f = 200 MHz) · Excellent forward AGC characteristics Maximum Ratings (Ta = 25°C) C Toshiba Semiconductor |
2SC3122 Silicon NPN Epitaxial SMD Type Silicon NPN Epitaxial 2SC3122 SOT-23 +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Transistors IC Unit: mm +0.1 2.4-0.1 1 +0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1 2 Low Noise :NF=2.0dB(Typ.)(f=200MHZ) Excellent Forward AGC Characteristics 0.55 High Gain: Gpe=24dB(Typ.)(f=200MHz) +0.1 1.3-0.1 Fe Kexin |
2SC3122 Silicon NPN RF Transistor INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc Silicon NPN RF Transistor 2SC3122 DESCRIPTION ·High Gain: Gpe= 24dB TYP. @ f= 200MHz ·Low Noise: NF= 2.0dB TYP. @ f= 200MHz APPLICATIONS ·Designed for TV VHF RF amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 Inchange Semiconductor |
2SK3122 Ultrahigh-Speed Switching Applications Ordering number:ENN6105A N-Channel Silicon MOSFET 2SK3122 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 4V drive. Package Dimensions unit:mm 2062A [2SK3122] 4.5 1.6 1.5 0.4 3 1.5 2 3.0 0.75 0.5 1 1.0 4.25max 2.5 0. Sanyo Semicon Device |
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