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Datasheet RQK2501YGDQA Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 RQK2501YGDQA   Silicon N-Channel MOS FET

RQK2501YGDQA Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • High drain to source voltage and Low gate drive VDSS : 250 V and 2.5 V gate drive • Low drive current • High speed switching • Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3
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datasheet RQK2501YGDQA pdf

RQK2501YG Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
RQK2501YGDQA

Silicon N-Channel MOS FET

RQK2501YGDQA Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • High drain to source voltage and Low gate drive VDSS : 250 V and 2.5 V gate drive • Low drive current • High speed switching • Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Pa
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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