Datasheet RQK0606KGDQA Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RQK0606KGDQA	Silicon N Channel MOS FET Power Switching RQK0606KGDQA Silicon N Channel MOS FET Power Switching REJ03G1497-0100 Rev.1.00 Jan 15, 2007 Features • Low on-resistance RDS(on) = 173 mΩ typ.(at VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) • Low drive current • High speed switching • VDSS ≥ 60 V and capable of 2.5 V gate drive Outl	Renesas Technology

RQK0606KG Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RQK0606KGDQA	Silicon N Channel MOS FET Power Switching RQK0606KGDQA Silicon N Channel MOS FET Power Switching REJ03G1497-0100 Rev.1.00 Jan 15, 2007 Features • Low on-resistance RDS(on) = 173 mΩ typ.(at VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) • Low drive current • High speed switching • VDSS ≥ 60 V and capable of 2.	Renesas Technology

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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