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Datasheet RQJ0306FQDQA Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | RQJ0306FQDQA | Silicon P-Channel MOS FET RQJ0306FQDQA
Silicon P Channel MOS FET Power Switching
Features
• Low gate drive VDSS : –30 V and 2.5 V gate drive
• Low drive current • High speed switching • Small traditional package (MPAK)
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK)
3
1 2
Notes: Marking is "FQ".
Pr |
Renesas |
RQJ0306FQ Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
RQJ0306FQDQS | Silicon P-Channel MOS FET |
Renesas |
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RQJ0306FQDQA | Silicon P-Channel MOS FET |
Renesas |
Esta página es del resultado de búsqueda del RQJ0306FQDQA. Si pulsa el resultado de búsqueda de RQJ0306FQDQA se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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