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Datasheet RQJ0301HGDQS Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | RQJ0301HGDQS | Silicon P-Channel MOS FET RQJ0301HGDQS
Silicon P Channel MOS FET Power Switching
Features
• Low on-resistance RDS(on) = 38 m Ω typ (VGS = –10 V, ID = –2.6 A)
• Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive
Outline
RENESAS package code: PLZZ0004CA-A (Package name: UPAK R )
1 2 3
4
Note: Marking is |
 Renesas |
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RQJ0301HG Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| RQJ0301HGDQS | Silicon P-Channel MOS FET |
Renesas |
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| Esta página es del resultado de búsqueda del RQJ0301HGDQS. Si pulsa el resultado de búsqueda de RQJ0301HGDQS se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Enlace url :
[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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