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RN2909FE データシート PDF

この部品の機能は「Toshiba Transistor SilICon PNP Epitaxial Type (pct Process) (bias Resistor Built-in Transistor)」です。


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部品番号
RN2909FE

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)


RN2907FE~RN2909FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2907FE,RN2908FE,RN2909FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver


Toshiba Semiconductor
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文字列「 RN2909 」「 2909FE 」で始まる検索結果です。

部品説明

RN2909

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2907~RN2909 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2907,RN2908,RN2909 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications l Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) l With built-in bias resistors l Simp

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RN2909AFS

(RN2907AFS - RN2909AFS) Transistor Silicon PNP Epitaxial Type

RN2907AFS~RN2909AFS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN2907AFS, RN2908AFS, RN2909AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 1.0±0.05 0.1±0.05 0.8±0.05 0.1±0.05 0.15±0

Toshiba
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RN2909FS

(RN2907FS - RN2909FS) Transistor Silicon PNP Epitaxial Type

RN2907FS~RN2909FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2907FS,RN2908FS,RN2909FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. 1.0±0.05 Unit: mm • • 0.35 0.35 1.0±0.05 Incorp

Toshiba
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2N2909

(2N2xxx) NPN General Purpose Medium Speed Amplifiers

w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w .D w t a S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c

Semicoa
Semicoa

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2SC2909

High-Voltage Switching/ AF 60W Predriver Applications

www.datasheet.jp Ordering number:ENN778F PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1207/2SC2909 High-Voltage Switching AF 60W Predriver Applications Features · Adoption of FBET process. · High breakdown voltage. · Excellent linearity of hFE and small Cob. · Fast s

Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

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2SK2909

Ultrahigh-Speed Switching Applications

Ordering number:ENN6312 N-Channel Silicon MOSFET 2SK2909 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 2.5V drive. Package Dimensions unit:mm 2091A [2SK2909] 0.5 0.4 3 0.16 0 to 0.1 0.5 1 0.95 0.95 2 1.9 2.9 1.5 2.

Sanyo Semicon Device
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