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RN2609 データシート PDF

この部品の機能は「(rn2607 - Rn2609) Toshiba Transistor SilICon PNP Epitaxial Type (pct Process)」です。


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部品番号
RN2609

(RN2607 - RN2609) TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)


RN2607~RN2609 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2607,RN2608,RN2609 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications l Including two devices i


Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

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文字列「 RN2609 」「 2609 」で始まる検索結果です。

部品説明

1N2609

GOLD BONDED GERMANIUM DIODES

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

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23HY2609

Hybrid Stepper Motors

HYBRID STEPPING MOTORS ƶ0.39in. ƶ1.10in. ƶ1.38in. ƶ1.53in. ƶ1.65in. ƶ2.22in. ‡2.25in. ƶ2.36in. ƶ3.35in. ‡3.39in. (ƶ10mm) (ƶ28mm) (ƶ35mm) (ƶ39mm) (ƶ42mm) (ƶ56.4mm) (‡57.2mm) (ƶ60mm) (ƶ85mm) (‡86mm) 23HY SERIES 1.8° Key Features I High Accuracy I Low Inertia

ETC
ETC

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2609B

Broadband Photodiode Module

Data Sheet August 2000 2609B Broadband Photodiode Module Description The 2609B is a packaged impedance-matched photodiode module with internal gain designed for use in optical broadband receivers in fiber-optic networks. The patented impedance-match technology results in improve

AgereSystems
AgereSystems

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2609C

Broadband Photodiode Module

Data Sheet August 2000 2609C Broadband Photodiode Module Description The 2609C is a packaged impedance-matched photodiode module with internal gain designed for use in optical broadband receivers in fiber-optic networks. The patented impedance-match technology results in improve

AgereSystems
AgereSystems

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2N2609

POWER MOSFET P CHANNEL

Technical Data 2N2609 JAN POWER MOSFET P CHANNEL Processed per MIL-PRF-19500/296 …DESIGNED FOR GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 250C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Gate-Source Vo

NES
NES

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2N2609

P-CHANNEL J-FET

TECHNICAL DATA P-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/296 Devices 2N2609 Qualified Level JAN ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +250C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Gate-Source Voltage Power Dissipation (1) TA = +250C Operating Junction & Stor

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

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