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RJP65S08DWA データシート PDF

この部品の機能は「Igbt ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。


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部品番号
RJP65S08DWA

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )


Preliminary Datasheet RJP65S08DWT/RJP65S08DWA 650V - 200A - IGBT Application: Inverter Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 200 A, VGE = 15 V, Ta =


Renesas
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文字列「 RJP65S08 」「 65S08DWA 」で始まる検索結果です。

部品説明

RJP65S08DWT

IGBT

Preliminary Datasheet RJP65S08DWT/RJP65S08DWA 650V - 200A - IGBT Application: Inverter Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 200 A, VGE = 15 V, Ta = 25C)  High speed Switching  Short circuit withstands time (10 s min.

Renesas
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1N6508

MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY

1N6508 A Microsemi Company 580 Pleasant St. Watertown, MA 02472 Phone: 617-924-9280 Fax: 617-924-1235 DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY FEATURES: • • • • HERMETIC CERAMIC PACKAGE Bv > 60V at 10uA Ir < 100nA at 40V C < 8.0 pF 1 4 6 10

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

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1N6508

Diode ( Rectifier )

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

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1N6508

Diode ( Rectifier )

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

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1N6508+JAN

Diode ( Rectifier )

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

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1N6508+JANTX

Diode ( Rectifier )

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

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