RJP65S08DWA データシート PDFこの部品の機能は「Igbt ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
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部品番号 |
RJP65S08DWA IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) Preliminary Datasheet RJP65S08DWT/RJP65S08DWA 650V - 200A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 200 A, VGE = 15 V, Ta = Renesas |
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部品説明 |
RJP65S08DWT IGBT Preliminary Datasheet RJP65S08DWT/RJP65S08DWA 650V - 200A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 200 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) High speed Switching Short circuit withstands time (10 s min. Renesas |
1N6508 MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY 1N6508 A Microsemi Company 580 Pleasant St. Watertown, MA 02472 Phone: 617-924-9280 Fax: 617-924-1235 DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY FEATURES: • • • • HERMETIC CERAMIC PACKAGE Bv > 60V at 10uA Ir < 100nA at 40V C < 8.0 pF 1 4 6 10 Microsemi Corporation |
1N6508 Diode ( Rectifier ) American Microsemiconductor |
1N6508 Diode ( Rectifier ) American Microsemiconductor |
1N6508+JAN Diode ( Rectifier ) American Microsemiconductor |
1N6508+JANTX Diode ( Rectifier ) American Microsemiconductor |
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