Datasheet RJP60F4DPM Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RJP60F4DPM	N-Channel IGBT Preliminary Datasheet RJP60F4DPM 600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C)  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching R07DS0586EJ0100 Rev.1.00 Nov 25, 20	Renesas

RJP60F4 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RJP60F4DPM	N-Channel IGBT Preliminary Datasheet RJP60F4DPM 600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C)  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching R07DS0586EJ0100	Renesas

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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