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データシート RJP30E2 PDF ( Circuit Data )

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RJP データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
RJP1CS08DWA

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS08DWT/RJP1CS08DWA 1250V - 200A - IGBT Application: Inverter Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 200 A, VGE = 15 V, Ta = 25C)  High speed switching  Short circuit withstands time (10 s min

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RJP60F4DPM

N-Channel IGBT

Preliminary Datasheet RJP60F4DPM 600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C)  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching R07DS0586EJ0100

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RJP60F0DPE

N-Channel IGBT

Preliminary Datasheet RJP60F0DPE 600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15V, Ta = 25°C)  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 90 ns typ.

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RJP1CS05DWA

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS05DWT/RJP1CS05DWA 1250V - 75A - IGBT Application: Inverter Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 75 A, VGE = 15 V, Ta = 25C)  High speed switching  Short circuit withstands time (10 s min.)

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RJP65S05DWA

IGBT

Preliminary Datasheet RJP65S05DWT/RJP65S05DWA 650V - 75A - IGBT Application: Inverter Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 75 A, VGE = 15 V, Ta = 25C)  High speed Switching  Short circuit withstands time (10 s min.)

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RJP65S03DWA

IGBT

Preliminary Datasheet RJP65S03DWT/RJP65S03DWA 650V - 30A - IGBT Application: Inverter Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25C)  High speed Switching  Short circuit withstands time (10 s min.)

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RJP30E2 回路図、ピン配列、同等



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