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2 RJP30E2DPK-M0

N-Channel Power MOSFET

Preliminary Datasheet RJP30E2DPK-M0 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • • • • Trench gate technology (G5H series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

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1 RJP30E2DPP-M0

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Preliminary Datasheet RJP30E2DPP-M0 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • • • • • Trench gate technology (G5H series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(

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