Datasheet RJL6032DPP-M0 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RJL6032DPP-M0	Silicon N Channel MOS FET Preliminary Datasheet RJL6032DPP-M0 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features  Low on-state resistance RDS(on) = 3.3  typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25C)  High speed switching  Built in fast recovery diode R07DS0250EJ0100 Rev.1.00 Jan 27, 2010 Outline RENESA	Renesas Technology

RJL6032DPP Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RJL6032DPP-M0	Silicon N Channel MOS FET Preliminary Datasheet RJL6032DPP-M0 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features  Low on-state resistance RDS(on) = 3.3  typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25C)  High speed switching  Built in fast recovery diode R07DS0250EJ0100 Rev.1.00 Jan 27,	Renesas Technology

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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