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RJL5012DPE データシート PDF

この部品の機能は「N-channel Power Mosfet / Transistor」です。


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部品番号
RJL5012DPE

N-Channel Power MOSFET / Transistor


Preliminary Datasheet RJL5012DPE Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features  Built-in fast recovery diode  Low on-resistance RDS(on) = 0.56  typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V,


Renesas
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文字列「 RJL5012 」「 5012DPE 」で始まる検索結果です。

部品説明

RJL5012DPP

Silicon N Channel MOS FET

RJL5012DPP Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Built-in fast recovery diode • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AB-A (Package name: TO-220FN) 1 23 G Absolute Maximum Ratings

Renesas
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RJL5012DPP-M0

Silicon N Channel MOS FET

RJL5012DPP-M0 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Built-in fast recovery diode • Low on-resistance RDS(on) = 0.56 Ω typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003A

Renesas
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05012GOF

Silicon Controlled Rectifier

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

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05012GOF

Silicon Controlled Rectifier

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

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1N5012A

(1N5008A - 1N5042A) DIODE

Free Datasheet http:///

New Jersey Semi-Conductor
New Jersey Semi-Conductor

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2N5012

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package

2N5012 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. VCEO = 700V

Seme LAB
Seme LAB

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