RJL5012DPE データシート PDFこの部品の機能は「N-channel Power Mosfet / Transistor」です。 |
検索結果を表示する |
部品番号 |
RJL5012DPE N-Channel Power MOSFET / Transistor Preliminary Datasheet RJL5012DPE Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Built-in fast recovery diode Low on-resistance RDS(on) = 0.56 typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Renesas |
文字列「 RJL5012 」「 5012DPE 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
RJL5012DPP Silicon N Channel MOS FET RJL5012DPP Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Built-in fast recovery diode • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AB-A (Package name: TO-220FN) 1 23 G Absolute Maximum Ratings Renesas |
RJL5012DPP-M0 Silicon N Channel MOS FET RJL5012DPP-M0 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Built-in fast recovery diode • Low on-resistance RDS(on) = 0.56 Ω typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003A Renesas |
05012GOF Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
05012GOF Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
1N5012A (1N5008A - 1N5042A) DIODE Free Datasheet http:/// New Jersey Semi-Conductor |
2N5012 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package 2N5012 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. VCEO = 700V Seme LAB |
当社のサイトでは、半導体やセンサーからモーター、電源に至るまで、さまざまな製品のデータシートを簡単に検索してダウンロードできる集中型プラットフォームを提供しています。 |