RJK5032DPD データシート PDFこの部品の機能は「Mos Fet」です。 |
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部品番号 |
RJK5032DPD MOS FET Preliminary Datasheet RJK5032DPD 500V - 3A - MOS FET High Speed Power Switching Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.1 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low drive curr Renesas |
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部品説明 |
RJK5032DPH-E0 High Speed Power Switching Preliminary Datasheet RJK5032DPH-E0 500V - 3A - MOS FET High Speed Power Switching Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.1 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low drive current High speed switching R07DS1039EJ0100 Rev.1.00 Mar 15, 2013 Outline R Renesas |
1N5032 Diode Zener Single 30V 5% 3W 2-Pin Case A New Jersey Semiconductor |
1N5032A (1N5008A - 1N5042A) DIODE Free Datasheet http:/// New Jersey Semi-Conductor |
1N5032A Diode Zener Single 30V 5% 3W 2-Pin Case A New Jersey Semiconductor |
1N5032B Diode Zener Single 30V 5% 3W 2-Pin Case A New Jersey Semiconductor |
2N5032 HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 2N5031 2N5032 CASE 20-03, STYLE 10 TO-72 (TO-206AF) HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage —Collector Current Continuous Total Device Dissipation AT(a< = 25°C Derate above 25°C Operat Motorola Semiconductors |
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