RJK5012DPE データシート PDFこの部品の機能は「SilICon N Channel Mos Fet High Speed Power Switching」です。 |
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部品番号 |
RJK5012DPE Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Preliminary www.Datasheet.jp Datasheet RJK5012DPE Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Low on-resistance RDS(on) = 0.515 typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25 � Renesas Technology |
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部品説明 |
RJK5012DPP Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching RJK5012DPP Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1545-0100 Rev.1.00 May 10, 2007 Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AB-A (Package name: TO-220FN) D G 1 Renesas Technology |
RJK5012DPP-E0 MOS FET Preliminary Datasheet RJK5012DPP-E0 500V - 12A - MOS FET High Speed Power Switching Features Low on-resistance RDS(on) = 0.515 typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching R07DS0561EJ0100 Rev.1.00 Jun 21, 2012 Outline RENE Renesas |
05012GOF Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
05012GOF Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
1N5012A (1N5008A - 1N5042A) DIODE Free Datasheet http:/// New Jersey Semi-Conductor |
2N5012 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package 2N5012 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. VCEO = 700V Seme LAB |
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