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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

www.Datasheet.jp RJK0303DPB Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching REJ03G1341-0600 Rev.6.00 Apr 19, 2006 Features • • • • • High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 3.1 mΩ typ. (at VGS = 10 V) Outline RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A (Package name: LFPAK) 5 D 5 4 G 3 12 4 1,

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RJK0303DPB Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching REJ03G1341-0600 Rev.6.00 Apr 19, 2006 Features • • • • • High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 3.1 mΩ typ. (

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