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RJH65T47DPQ-A0 データシート PDF 検索

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1 RJH65T47DPQ-A0

IGBT

Preliminary Datasheet RJH65T47DPQ-A0 650V - 45A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit R07DS1291EJ0101 Rev.1.01 Oct 22, 2015 Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode in one package  Trench gate and thin wafer technology (G7H series)  High speed swi

Renesas
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RJH65T47DPQ データシート - 検索結果

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RJH65T47DPQ-A0

IGBT

Preliminary Datasheet RJH65T47DPQ-A0 650V - 45A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit R07DS1291EJ0101 Rev.1.01 Oct 22, 2015 Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast rec

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