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RJH60D7BDPQ-E0 データシート PDF 検索

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1 RJH60D7BDPQ-E0

IGBT

Preliminary Datasheet RJH60D7BDPQ-E0 600V - 50A - IGBT Application: Inverter R07DS0795EJ0300 Rev.3.00 Jul 20, 2016 Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer techn

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RJH60D7BDPQ データシート - 検索結果

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RJH60D7BDPQ-E0

IGBT

Preliminary Datasheet RJH60D7BDPQ-E0 600V - 50A - IGBT Application: Inverter R07DS0795EJ0300 Rev.3.00 Jul 20, 2016 Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°

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