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Silicon N Channel IGBT

RJH60D6DPK Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • High breakdown-voltage • Low on-voltage • Built-in diode www.Datasheet.jp Preliminary REJ03G1847-0100 Rev.1.00 Oct 14, 20

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RJH60D6DPK

Silicon N Channel IGBT

RJH60D6DPK Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • High breakdown-voltage • Low on-voltage • Built-in diode Preliminary REJ03G1847-0100 Rev.1.00 Oct 14, 2009 Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A (Package name: TO-3P) C G 1. Ga

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RJH60D6DPM

IGBT

Preliminary Datasheet RJH60D6DPM 600V - 40A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (100 ns

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