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データシート RJH3047 PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 RJH3047

Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching

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RJH データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
RJH60M3DPP-M0

IGBT

Preliminary Datasheet RJH60M3DPP-M0 600 V - 17 A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (8 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (10

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RJH1CD7DPQ-A0

IGBT

Preliminary Datasheet RJH1CD7DPQ-A0 1200 V - 25 A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (t

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RJH1CD6DPQ-A0

IGBT

Preliminary Datasheet RJH1CD6DPQ-A0 1200 V - 20 A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V typ. (at IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (t

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RJH60M2DPP-M0

IGBT

Preliminary Datasheet RJH60M2DPP-M0 600 V - 12 A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (8 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (10

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RJH60F3DPK

High Speed Power Switching

Preliminary Datasheet RJH60F3DPK Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode in one package  Trench gate and thin wafer te

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RJH1CD5DPQ-A0

High Speed Power Switching

Preliminary Datasheet RJH1CD5DPQ-A0 1200 V - 15 A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V typ. (at IC = 15 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (t

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RJH3047 回路図、ピン配列、同等



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