RJH30 データシート PDFこの部品の機能は「データシート」です。 |
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部品番号 |
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部品説明 |
RJH3047 Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching http:// ETC |
RJH30H1DPP-M0 High Speed Power Switching Preliminary Datasheet RJH30H1DPP-M0 Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sa Renesas |
RJH30H2DPK-M0 High Speed Power Switching Preliminary Datasheet RJH30H2DPK-M0 Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching: tr = 100 ns typ, tf = Renesas |
0230200L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
0230200L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
0230300L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
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