RJH1CV5DPK データシート PDFこの部品の機能は「Igbt ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
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部品番号 |
RJH1CV5DPK IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) Preliminary Datasheet RJH1CV5DPK 1200V - 25A - IGBT Application: Inverter Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. Renesas |
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部品説明 |
RJH1CV5DPQ-E0 IGBT Preliminary Datasheet RJH1CV5DPQ-E0 1200V - 25A - IGBT Application: Inverter Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) Built-in fast recovery diode (trr Renesas |
0-215079-8 Metric www.DataSheet.in AMP |
0-215079-x Metric www.DataSheet.in AMP |
000-7315-37 Discrete Single Port 10/100 Base-T PDSO-G16 more than you expect Discrete Single Port 10/100 Base-T PDSO-G16 LANDatacom Typical Common Electrical Characteristics 1 Inductance 350uH Min. Dielectic Rating 1500VAC Insertion Loss -1.1dB max. -18dB min. -16dB min. Return Loss -14dB min. -12dB min. Cross Ta Midcom |
000-7315-37R Discrete Single Port 10/100 Base-T PDSO-G16
Midcom |
000-7315-37R-LF1 Discrete Single Port 10/100 Base-T PDSO-G16
Midcom |
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