RJH1CD5DPQ-A0 データシート PDF 検索

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1	RJH1CD5DPQ-A0	High Speed Power Switching Preliminary Datasheet RJH1CD5DPQ-A0 1200 V - 15 A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V	Renesas

RJH1CD5DPQ データシート - 検索結果

部品番号	部品説明	メーカ	PDF
RJH1CD5DPQ-A0	High Speed Power Switching Preliminary Datasheet RJH1CD5DPQ-A0 1200 V - 15 A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V typ. (at IC = 15 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (t	Renesas
RJH1CD5DPQ-E0	IGBT Preliminary Datasheet RJH1CD5DPQ-E0 1200V - 20A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.0 V typ. (at IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built-in fast recovery diode (trr	Renesas

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