PYN13GE75BF データシート PDFこの部品の機能は「Minibea Motor」です。 |
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部品番号 |
PYN13GE75BF Minibea Motor PYN13 Outline ø2.8 ø0.8 0.3 2-M1.2 ø2.7 3.86 1 2–0.3 ø7 4.7 4.3 0.5 L 20 0.9 1.6 DC UNIT: mm Specifications Model PYN13GE75BF Operating Voltage (V) 0 to 4.0 Rated Voltage (V) 3 No NMB-MAT |
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部品説明 |
1N1375 Zener Diode Solid State |
2SB1375 SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SB1375 Audio Frequency Power Amplifier 2SB1375 Unit: mm • Low saturation voltage: VCE (sat) = −1.5 V (max) (IC = −2 A, IB = −0.2 A) • High power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25°C) • Collector metal (fin) is cover Toshiba Semiconductor |
2SB1375 SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1375 DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SD2012 ·Low collector saturation voltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max) at IC=-2A,IB=-0.2A ·Collector power dissipation: PC= SavantIC |
2SB1375 Silicon PNP Triple Diffused Type Silicon PNP Triple Diffused Type FEATURES z Low Saturation Voltage:VCE(sat)=-1.5V(max.) (IC/IB=-2A/-0.2A) Pb z High Power Dissipation:PC=25W(TC=25℃) Lead-free z Complements the 2SD2012. Production specification 2SB1375 TO-220AB MAXIMUM RATING operating temperature rang Galaxy Microelectronics |
2SB1375 SILICON PNP TRANSISTOR 2SB1375(3CD1375) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR 用途:用于音频功率放大。 Purpose: Audio frequency power amplifier applications. 特点:饱和压降低,集电极耗散功率大;可与 2SD2012(3DD2012)互补。/Features: Low V ,CE(sat) High PC, co BLUE ROCKET ELECTRONICS |
2SC1375 Silicon NPN Transistor Hitachi |
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