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PTI3134-9L データシート PDF

この部品の機能は「Radar Pulsed Power Transistor/ Sw/ 300ms Pulse/ 10% Duty 3.1 - 3.4 Ghz」です。


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部品番号
PTI3134-9L

Radar Pulsed Power Transistor/ SW/ 300ms Pulse/ 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz


= ----- an AMP company Radar Pulsed Power Transistor, SW, 300~s Pulse, 10% Duty Pti3134-9L 3.1 - 3.4 GHz Features NPN Silicon Microwave Power Transistor Common Base Configuration Broadband Class C


Tyco Electronics
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文字列「 PTI31349 」「 3134 」で始まる検索結果です。

部品説明

2N3134

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ VCB (µA) (V) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 4.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 7.0 7.0 5.0 4.0 7.0 7.0 7.0 7.0 5.0 4.0 4.0 5.0 4.

Central Semiconductor
Central Semiconductor

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2N3134

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ VCB (µA) (V) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 4.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 7.0 7.0 5.0 4.0 7.0 7.0 7.0 7.0 5.0 4.0 4.0 5.0 4.0 4.0 4.0 5.0 5.0 5.0

Central
Central

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2N3134

Trans GP BJT NPN 35V 3-Pin TO-18 Box

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

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2SC3134

For AF Applications

Ordering number:EN1048B PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1252/2SC3134 F for AF Applications Features · High VEBO. · Wide ASO and high durability against breakdown. Package Dimensions unit:mm 2018A [2SA1252/2SC3134] C : Collector B : Base E : Emitter ( ) : 2S

Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

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2SC3134

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

SMD Type Transistors IC NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC3134 SOT-23 +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Unit: mm +0.1 2.4-0.1 1 +0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1 2 Wide ASO and high durability against breakdown. 0.55 High VEBO. +0.1 1.3-0.1 Features 0.4 3 +0.05 0.1-0.01 +

Kexin
Kexin

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2SK3134

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3134(L), 2SK3134(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-721B (Z) 3rd. Edition February 1999 Features • Low on-resistance R DS(on) = 4 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline LDPAK 4 4 D 1 1

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

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