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PTF080601 データシート PDF

この部品の機能は「Ldmos Rf Power Field Effect Transistor 60 W/ 860-960 Mhz」です。


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部品番号
PTF080601

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W/ 860-960 MHz


Developmental PTF080601 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860–960 MHz Description The PTF080601 is a 60–W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the


Infineon Technologies AG
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部品説明

PTF080601A

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W/ 860-960 MHz

Developmental PTF080601 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860–960 MHz Description The PTF080601 is a 60–W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime

Infineon Technologies AG
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PTF080601E

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W/ 860-960 MHz

Developmental PTF080601 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860–960 MHz Description The PTF080601 is a 60–W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime

Infineon Technologies AG
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PTF080601F

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W/ 860-960 MHz

Developmental PTF080601 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860–960 MHz Description The PTF080601 is a 60–W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime

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