PRHMB50B12 データシート PDFこの部品の機能は「Igbt Module」です。 |
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部品番号 |
PRHMB50B12 IGBT MODULE www.Datasheet.jp IGBT MODULE Chopper CIRCUIT 50A 1200V OUTLINE DRAWING PRHMB50B12 2- fasten- tab No 110 Dimension(mm) Approximate Weight : 220g MAXMUM RATINGS (Tc=25°C) Item Collector-Emitte Nihon Inter Electronics |
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部品説明 |
PRHMB50B12A IGBT MODULE www.datasheet.jp IGBT MODULE Chopper CIRCUIT 50A 1200V OUTLINE DRAWING PRHMB50B12A 2- fasten- tab No 110 Dimension(mm) Approximate Weight : 220g MAXMUM RATINGS (Tc=25°C) Item Collector-Emitter Voltage Gate - Emitter Voltage Collector Current DC 1 ms Symbol VCES VGES IC Nihon Inter Electronics |
05012GOF Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
05012GOF Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
1N5012A (1N5008A - 1N5042A) DIODE Free Datasheet http:/// New Jersey Semi-Conductor |
2N5012 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package 2N5012 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. VCEO = 700V Seme LAB |
2SC5012 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5012 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 9 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation 0.3 +0.1 –0.05 PA NEC |
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