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N-Channel MOSFET

PNM723T703E0-2 N-Channel MOSFET Description PNM723T703E0-2 is designed for high speed switching applications The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D(3) MOSFET Product Summary VDS(V) 40 rDS(on)(Ω) 3.5@ VGS=10V VGS(th)(V) 1 to 2.0 ID(A) 0.18 G(1) S(2) Electrical characteristics per line@25℃( unless otherwise specified)

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N-Channel MOSFET

PNM723T703E0-2 N-Channel MOSFET Description PNM723T703E0-2 is designed for high speed switching applications The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D(3) MOSFET Product Summary VDS(V) 40 rDS(on)(Ω) 3.5@ VGS=10V VGS(th)(V) 1 to 2.0 ID(

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